19:15 - 25.05.2026

---

25 мая, Fineko/abc.az. С осени 2022 года США запретили поставки в Китай оборудования для выпуска 3D NAND-памяти с числом слоёв выше 128, однако Samsung и SK hynix получили исключения для своих китайских заводов.

Как передает ABC.AZ, Samsung Electronics уже запустила в Сиане массовое производство 236-слойной памяти и планирует перейти к 286-слойной уже в следующем году, постепенно заменяя устаревшие решения. Завод в Китае обеспечивает около 40% мирового выпуска NAND компании.

Параллельно в Южной Корее Samsung готовит выпуск памяти нового поколения с более чем 400 слоями, SK hynix работает над 300-слойными решениями, а китайская YMTC уже освоила 270-слойную технологию.